整流產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)、4C(通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車電子)、航空航天、國(guó)防軍工等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域以及軌道交通、新能源、智能電網(wǎng)、新能源汽車等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展,通過(guò)培育本土半導(dǎo)體企業(yè)和國(guó)外招商引進(jìn)國(guó)際跨國(guó)公司,國(guó)內(nèi)逐漸建成了覆蓋設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)以及配套的設(shè)備和材料等各個(gè)環(huán)節(jié)的全產(chǎn)業(yè)鏈整流模塊生態(tài)。大陸涌現(xiàn)了一批優(yōu)質(zhì)的企業(yè),包括捷捷微電、揚(yáng)杰電子、黃山電器、浙江正邦等芯片制造公司,以常州宏微、揚(yáng)杰電子、揚(yáng)州四菱、常州瑞華、固馳電子等為代表的模塊封測(cè)企業(yè)。
整流模塊是通過(guò)二極管的單向?qū)ㄔ韥?lái)完成工作的,通俗的來(lái)說(shuō)二極管正向?qū)?,反向截止,也就是說(shuō),二極管只允許電流從陽(yáng)極流入,陰極流出。所以將其接入交流電路時(shí)它能使電路中的電流整流成直流。將數(shù)個(gè)(兩個(gè)或四個(gè)和六個(gè))整流二極管封在一起組成的橋式整流器件被稱為整流橋,主要作用是把交流電轉(zhuǎn)換為直流電。整流模塊有三相橋,單相全橋和半橋之分。整流橋模塊有著體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、外接線簡(jiǎn)單、便于維護(hù)和安裝等優(yōu)點(diǎn)。在家用電器和工業(yè)電子電路中應(yīng)用非常廣泛。
整流橋模塊的制造工藝主要由芯片技術(shù)和封裝技術(shù)構(gòu)成。目前國(guó)內(nèi)外主流廠家的整流橋芯片,主要有燒結(jié)圓片和GPP方片兩種,對(duì)應(yīng)的封裝技術(shù)有壓接式和焊接兩種方式。
一. 整流橋封裝工藝介紹
1. 焊接式模塊
常見(jiàn)的焊接式整流模塊封裝結(jié)構(gòu)如下圖所示,主要包括母排電極、芯片、焊層、襯板和基板幾大部分,各個(gè)部分之間的連接技術(shù)則構(gòu)成了整流模塊封裝的關(guān)鍵技術(shù),可分為芯片焊接與固定以及各芯片電極互連與引出兩大方面。為了提高模塊的可靠性,要求各部分材料的熱膨脹系數(shù)(CTE)相匹配,散熱特性好及連接界面盡量少且連接牢固。
對(duì)于芯片焊接與固定,主要涉及功率半導(dǎo)體芯片、焊層、襯板和基板。焊層普遍采用錫基焊料,分含鉛與無(wú)鉛兩大類,有焊膏和焊片兩種工藝,后者具有更好的焊層質(zhì)量。襯板和基板要求其膨脹系數(shù)與芯片匹配并具有良好的熱導(dǎo)率,對(duì)硅材料芯片而言,AlN襯板及Cu或AlSiC基板是常見(jiàn)的選擇,為了獲得較小的熱阻,提高散熱性能,一般盡量減小襯板的厚度,并使基板具有一定的拱度,可以是單面拱或者雙面拱,單面拱基板有利于減小熱阻,且在焊接前后拱度的變化較均勻。為了進(jìn)一步減小熱阻,可以省去襯板或基板,將芯片直接設(shè)置在引線框架(lead frame)上,或者將襯板直接設(shè)置在散熱基板上,基板多為Pin Fin結(jié)構(gòu),采用水冷散熱。
焊接式模塊通常采用沾錫的圓芯片或者GPP方片加鉬片的方式,目前國(guó)外主流廠商一般選用的是后者。SEMIKRON在新一代的整流產(chǎn)品中已經(jīng)采用類似IGBT產(chǎn)品的鍵合工藝,并且國(guó)內(nèi)外采用這一工藝的主流廠商呈上升趨勢(shì)。焊接式模塊具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、重量輕、熱阻小等特點(diǎn),適合應(yīng)用于各類中小功率場(chǎng)合。
2. 壓接式模塊
整流模塊的另外一種封裝形式是壓接式封裝,如圖所示。壓接式具有無(wú)焊層、抗熱疲勞能力強(qiáng),芯片熱容量大,浪涌能力高,容易做成2500V以上高電壓產(chǎn)品等特點(diǎn),主要在更大電流應(yīng)用,同時(shí)在應(yīng)用環(huán)境苛刻和可靠性要求高的應(yīng)用領(lǐng)域也有一定競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
二. 整流模塊芯片現(xiàn)狀
1. 傳統(tǒng)圓形芯片
芯片擴(kuò)散用涂源或者紙?jiān)?/span>方法形成PN 結(jié),然后將硅片陽(yáng)極與鉬片燒結(jié),再在鉬片側(cè)沾錫,以便于封裝時(shí)的工藝焊接,通過(guò)臺(tái)面造型、酸洗,并涂覆硅橡膠等保護(hù)材料,形成具有鉬片襯底的圓形芯片。
由于芯片焊接有金屬鉬片,多層結(jié)構(gòu)導(dǎo)致芯片熱阻增大,不容易將芯片的熱散出去,功耗大。臺(tái)面保護(hù)材料采用硅橡膠保護(hù),漏電較大,芯片參數(shù)一致性比GPP方片差。
2. 普通GPP芯片
基本工藝過(guò)程為:硅片清洗, 磷預(yù)淀積,單面噴砂(減薄), 硼擴(kuò)散及磷再分布, 雙面噴砂去氧化層,氮?dú)饣蜓鯕馔嘶?span>(需要時(shí)),鉑擴(kuò)散及擴(kuò)散后的表面腐蝕處理和清洗(需要時(shí)), 臺(tái)面腐蝕, LPCVD淀積氮化硅膜或生長(zhǎng)二氧化硅膜(鈍化保護(hù)), 玻璃鈍化,雙面鍍鎳(電極), 晶圓劃片,分片。
與圓形芯片不同,GPP芯片沒(méi)有焊接鉬片,而是直接在芯片兩面鍍鎳形成可焊接的電極,大大減小了芯片的熱阻。同時(shí),GPP芯片的臺(tái)面保護(hù)采用氮化硅膜或生長(zhǎng)二氧化硅膜以及玻璃鈍化保護(hù),其密封保護(hù)和絕緣性能明顯優(yōu)于硅橡膠材料,所以其漏電流較小。不足之處是,受工藝條件限制,GPP方形芯片難以做成2500V以上的高壓產(chǎn)品。
結(jié)構(gòu)示意圖 |
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3. 世菱GPP芯片
在傳統(tǒng)普通GPP芯片的基礎(chǔ)上,世菱采用了新一代GPP芯片技術(shù)。其基本工藝特點(diǎn)為:
1)用離子注入替代傳統(tǒng)的N+擴(kuò)散,形成均勻一致的高濃度低應(yīng)力淺結(jié)。
2)通過(guò)P型緩變結(jié)鎵擴(kuò)散,芯片電壓>1800V,產(chǎn)品一致性增強(qiáng),VF低、抗浪涌強(qiáng)。
3)用控制精度+-1um的硅片減薄工藝替代噴砂減薄工藝,改善了后者造成的結(jié)構(gòu)不均勻問(wèn)題。
4)SIPOS+GPP鈍化,鈍化保護(hù)層更加穩(wěn)定,緩解了熱應(yīng)力問(wèn)題,可靠性增強(qiáng)。
5)優(yōu)化基區(qū)設(shè)計(jì)方案,優(yōu)化了槽型結(jié)構(gòu),增加陰極區(qū)有效面積,過(guò)流能力強(qiáng)。
6)正面AL,背面AL+TiNiAg金屬組合,減少歐姆接觸電阻。
三. 目前各廠家焊接式封裝工藝現(xiàn)狀
1. 傳統(tǒng)圓片焊接: 以揚(yáng)州四菱和常州瑞華為代表的傳統(tǒng)整流產(chǎn)品封裝廠,圓片的封裝工藝為:芯片去氧化層--錫膏涂覆--電極芯片擺放---隧道燒結(jié)(更多的為電爐焊接)---清洗松香殘留---半成品測(cè)試---壓裝外殼---灌硅凝膠---灌環(huán)氧樹(shù)脂---終測(cè)----入庫(kù)。
2. 普通GPP芯片焊接:以揚(yáng)杰電子和常州宏微為代表的普通GPP芯片封裝工藝為: 結(jié)構(gòu)件準(zhǔn)備---固晶---加鉬片---真空共晶----空洞檢測(cè)---二次焊接(電極)---壓裝外殼---灌硅凝膠----終測(cè)----入庫(kù)(目前以日本和美國(guó)為代表的封裝廠普遍采用)
3. 世菱電子焊接工藝:結(jié)構(gòu)件準(zhǔn)備----固晶---真空共晶---空洞全檢---鋁線鍵合---二次焊接(電極)---壓裝外殼---灌硅凝膠---終測(cè)----入庫(kù)(semikron新一代整流模塊、臺(tái)基半導(dǎo)體、IGBT模塊普遍采用)
四. 幾種不同芯片和焊接工藝產(chǎn)品的綜合分析:
1. 傳統(tǒng)圓片工藝模塊
1) 結(jié)構(gòu)封裝工藝簡(jiǎn)單,批次離散性大,全手工操作增加品質(zhì)不穩(wěn)定因素,芯片、電極、陶瓷片、銅底板之間空洞大,導(dǎo)致過(guò)流與散熱降低,封裝熱阻大。封裝應(yīng)力大。
2) 在焊接后的清洗中造成芯片的二次污染,導(dǎo)致高溫漏電流增大。
3) 芯片多層結(jié)構(gòu)導(dǎo)致熱阻增大,不容易將芯片的熱散出去,熱穩(wěn)定性不如GPP芯片,功耗大,反向電壓穩(wěn)定性低,可靠性低。
4) 芯片擴(kuò)散采用涂源或者紙?jiān)?/span>方法形成PN 結(jié),芯片先用鉬片和硅片焊接,再進(jìn)行臺(tái)面酸洗。臺(tái)面保護(hù)材料采用硅橡膠保護(hù),漏電較大,特性不穩(wěn)定。芯片一致性差,通常芯片放很大余量。
2. 普通GPP芯片+鉬片工藝模
1)普通GPP芯片的鈍化保護(hù)膜,有電泳法和刀割法兩種方式,其特點(diǎn)如下:對(duì)于各種形狀的器件,例如平面型、臺(tái)面型、斜面型或其他不規(guī)則形狀的器件均可實(shí)現(xiàn)電泳涂復(fù)。電泳涂層的厚度可以控制,且均勻性好,精度高。采用絕緣掩膜可以實(shí)現(xiàn)有選擇性的電泳涂復(fù)。熱成型后膜質(zhì)致密性好,可以實(shí)現(xiàn)無(wú)氣泡、無(wú)針孔的玻璃膜??梢灾迫‰s質(zhì)離子沾污較少的優(yōu)質(zhì)玻璃膜。對(duì)Wafer無(wú)損傷、無(wú)污染。絕緣性能高、電特性穩(wěn)定、反向漏電流低。
2)封裝工藝相對(duì)于圓片來(lái)說(shuō)有大幅度提高,芯片、電極、陶瓷片、銅底板之間空洞率大幅度降低,但是還是無(wú)法消除芯片本身因表面高濃度和陰極焊接帶來(lái)的應(yīng)力,故在陰極上加鉬片以降低應(yīng)力造成對(duì)芯片的損傷,但加了鉬片后熱阻也相應(yīng)增大,而且增大了空洞檢測(cè)的難度(或者非全檢)
3. 世菱GPP工藝模塊
1) 新一代GPP芯片技術(shù),用離子注入替代傳統(tǒng)的N+擴(kuò)散,形成均勻一致的高濃度低應(yīng)力淺結(jié)。通過(guò)P型緩變結(jié)鎵擴(kuò)散,芯片電壓>1800V,產(chǎn)品一致性增強(qiáng),VF低、抗浪涌能力強(qiáng)。用控制精度+-1um的硅片減薄工藝替代噴砂減薄工藝,改善了噴砂造成的結(jié)構(gòu)不均勻問(wèn)題。SIPOS+GPP鈍化,鈍化保護(hù)層更加穩(wěn)定,緩解了熱應(yīng)力問(wèn)題,可靠性增強(qiáng)。優(yōu)化基區(qū)設(shè)計(jì)方案,優(yōu)化了槽型結(jié)構(gòu),增加陰極區(qū)有效面積,過(guò)流能力強(qiáng)。正面AL,背面AL+TiNiAg金屬組合,減少歐姆接觸電阻。具有壓降低、浪涌能力強(qiáng)、低應(yīng)力、低漏電流,參數(shù)一致性好等特點(diǎn)。且芯片采用五寸晶圓產(chǎn)線生產(chǎn),出片率提高,降低制造成本.
2) 由于采用與IGBT相同的封裝工藝,芯片陰極采用超聲波鍵合的方式,降低芯片和封裝應(yīng)力到最小,減少了鉬片降低了熱阻。同時(shí)焊接空洞全檢,降低模塊產(chǎn)品整體空洞率,提高過(guò)電流能力,有效降低熱阻??梢蕴岣吣K生產(chǎn)的自動(dòng)化水平到80%---90%,有效降低制造成本和人工操作對(duì)產(chǎn)品可靠性的影響。
綜上所述,隨著綠色環(huán)保的生產(chǎn)方式日益提高,整流晶圓的生產(chǎn)也逐步趨向于五寸以上產(chǎn)線,離子注入這一在高端半導(dǎo)體晶圓中應(yīng)用廣泛的技術(shù)也逐步應(yīng)用到普通整流產(chǎn)品中,使普通整流晶圓的品質(zhì)有革命性的提升。鍵合式整流產(chǎn)品因其生產(chǎn)效率高、生產(chǎn)過(guò)程精準(zhǔn)控制、高可靠性和高魯棒性日益受到國(guó)內(nèi)外主流廠商的親睞。
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