中國投資財團(tuán)與美國安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）圍繞仙童半導(dǎo)體（Fairchild Semiconductor）股權(quán)收購展開的攻守戰(zhàn)至今仍未結(jié)束。仙童于2015年12月拒絕了中國投資財團(tuán)第一次提出的收購方案，但隨后于2016年1月5日宣布，將考慮華潤微電子與華創(chuàng)投資的修訂方案。

在新方案中，中國資本將以每股21.70美元的現(xiàn)金收購仙童，這一價格遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于安森美提出的每股20美元，也顯示出了中國投資方的決心。

這并不是中國投資者第一次對半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生興趣。下面我們就重點探討一下中國掌握著關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體行業(yè)。

中國加入功率電子領(lǐng)域的國際競爭 

對于功率電子行業(yè)而言，40％的功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品都依賴于進(jìn)口的中國自然是最重要的市場（參考Yole Developpement的分析報道《Status of the Chinese Power Electronics Industry 2015》（2015中國功率電子行業(yè)現(xiàn)狀））。2014年面向中國市場供應(yīng)的功率半導(dǎo)體器件達(dá)到了60億美元，包括FET（Field-Effect Transistor，場效應(yīng)晶體管）、IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）、晶閘管（Thyristo）、整流器、二極管等。當(dāng)然，不可忽視的一點是，除了民間企業(yè)的意向之外，中國功 率電子市場還反映著政府的意向。 

最近幾年，中國快速縮小了與發(fā)達(dá)國家之間的差距，由進(jìn)口國轉(zhuǎn)變?yōu)槌隹趪?，從鐵路、電動汽車到可再生能源， 在多種功率電子領(lǐng)域，都在系統(tǒng)級別加入了國際競爭。而且，中國還成功進(jìn)入了逆變器市場。以光伏發(fā)電用逆變器為例，陽光電源股份有限公司、華為、特變電工、無錫上能新能源均位列該領(lǐng)域全球十強(qiáng)。

中國企業(yè)為了推動自身的快速發(fā)展而采取的戰(zhàn)略之一是收購。中國風(fēng)能領(lǐng)域的領(lǐng)頭羊——新疆金風(fēng)科技收購了德國VENSYS，將該公司的技術(shù)引進(jìn)中國。

中國90％以上的IGBT仍依靠進(jìn)口 

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，越來越多的中國企業(yè)對領(lǐng)先陣營緊追不舍，包括中車時代電氣股份有限公司（2008年收購英國丹尼斯）、華潤微電子（仙童的收購候選方之一 ——華潤的子公司）、上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司（ASMC）、星電科技、宏微科技等。一方面，中國取得了顯著發(fā)展，但另一方面，對于技術(shù)難度最高的晶體 管之一——IGBT，90％以上仍需進(jìn)口。 

2014年與2013年一樣，中國占了IGBT市場的約三分之一。很多中國企業(yè)從事模塊制造業(yè) 務(wù)，從海外企業(yè)手中購買集成用裸片。但Yole的分析師認(rèn)為，打算涉足裸片制造市場的中國企業(yè)也在快速増加。既有開發(fā)自主技術(shù)的企業(yè)，也有選擇收購裸片制 造商的企業(yè)（參考Yole的分析報告《IGBT Market and Technology Trends》（IGBT市場的技術(shù)與動向））。

就中國政府而言，高功率半導(dǎo)體是2016～2020年的十三五計劃中的增長支柱之一。為了擺脫對發(fā)達(dá)國家的依賴，并成為全球半導(dǎo)體行業(yè)的霸主，估計中國會繼續(xù)進(jìn)行投資。

在這種形勢下，作為IGBT五強(qiáng)之一的仙童吸引中國投資者的注意并不奇怪。安森美與中國投資者的攻守動向值得跟蹤，未來幾個月里將會上演哪些其他收購大戲也 同樣值得關(guān)注。