浙江世菱電力電子有限公司近日推出采用離子注入和分壓環(huán)結(jié)構(gòu)的雙極功率模塊，解決高性價比應(yīng)用的具體需求。這種新型模塊進(jìn)一步解決了國產(chǎn)功率在模塊在電流/電壓上升率低,正反向電壓容易擊穿等問題。世菱電子為受成本和性能限制的工業(yè)驅(qū)動、可再生能源、軟啟動器、UPS系統(tǒng)、焊接和靜態(tài)開關(guān)等不同應(yīng)用提供優(yōu)化的解決方案。

該模塊不僅封裝尺寸較小(不超過50mm)，而且市場價格比相關(guān)進(jìn)口模塊低25%左右(取決于模塊/應(yīng)用)，具有明顯的成本優(yōu)勢。對于標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動或UPS等不要求壓力接觸的高魯棒性應(yīng)用，該模塊是理想的選擇。而對于軟啟動器或靜態(tài)開關(guān)等以高魯棒性作為重要標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用，世菱電子將提供壓力接觸的最佳解決方案。例如，直接在惡劣的電網(wǎng)電壓條件下運(yùn)行的輸入整流器應(yīng)用對耐用性的要求會隨著模塊尺寸的增加而提高，因此需要采用高度穩(wěn)定的壓力接觸技術(shù)。

技術(shù)特點(diǎn)：

一. 選進(jìn)口德國進(jìn)口瓦克區(qū)熔單晶作為產(chǎn)品的基底材料，材料具有極低的晶格缺陷以及電阻率分布的超高一致性

二. 芯片采用分壓環(huán)平面結(jié)構(gòu)，VDRM以及VRRM穩(wěn)定性好，電壓最高可達(dá)2200V

三. 芯片選用SIPOS（半絕緣摻氧多晶硅）作為終端鈍化膜層，使用SIPOS的產(chǎn)品具有極低的高溫漏電，產(chǎn)品高溫穩(wěn)定性極佳

四. 芯片采用AL、V、Ni、AG四層金屬結(jié)構(gòu)，形成高可靠歐姆接觸

五. 芯片主結(jié)構(gòu)選用離子注入技術(shù)形成，具有極高的穩(wěn)定性及一致性。

六. 芯片主結(jié)構(gòu)選用中心門極+放大環(huán)結(jié)構(gòu)具有極高的電流上升率和電壓上升率

七. 芯片采用320um厚度，具有極低的正向壓降

八. DBC高效散熱絕緣基片

九. 鏈?zhǔn)綗Y(jié)爐+氫氮?dú)獗Ｗo(hù)燒結(jié)工藝

新一代功率模塊提供的封裝底板寬度為20mm, 25mm, 34mm。每種封裝均提供五種方便整流器設(shè)計(2種晶閘管/晶閘管TT、2種晶閘管/二極管TD和1種二極管/二極管DD)的模塊。世菱電子提供的產(chǎn)品涵蓋主要電流額定值的每種尺寸，所有型號均提供1600V阻斷電壓。在此類模塊中，采用焊接技術(shù)的模塊是針對成本優(yōu)化的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)解決方案，而采用壓力接觸技術(shù)的模塊則是為滿足高電流應(yīng)用和高可靠性的需求。

相比僅使用DCB基底向散熱器傳熱的模塊，這種帶絕緣銅底板的功率模塊具有更低的瞬態(tài)熱阻，從而在過載的情況下能夠具有更高的可靠性。該功率模塊經(jīng)過優(yōu)化的外殼和蓋子結(jié)構(gòu)在擰緊主端子時只需極小的扭力，而且模塊具備一流的焊接質(zhì)量。此外，這種模塊功耗最低，因而能夠?qū)崿F(xiàn)更高的系統(tǒng)效率。