我司近日推出采用離子注入和分壓環(huán)結構的雙極功率模塊，解決高性價比應用的具體需求。這種新型模塊進一步解決了國產(chǎn)功率在模塊在電流、電壓上升率低,正反向電壓容易擊穿等問題。我司為受成本或性能限制的工業(yè)驅動、可再生能源、軟啟動器、UPS系統(tǒng)、焊接和靜態(tài)開關等不同應用提供優(yōu)化的解決方案。

該模塊不僅封裝尺寸較小(不超過50mm)，而且市場價格比相關進口模塊低 25%左右(取決于模塊/應用)，具有明顯的成本優(yōu)勢。對于標準驅動或UPS等不要求壓力接觸的高魯棒性應用，該模塊是理想的選擇。而對于軟啟動器或靜態(tài)開關等以高魯棒性作為重要標準的應用，世菱電子將提供壓力接觸的最佳解決方案。例如，直接在惡劣的電網(wǎng)電壓條件下運行的輸入整流器應用對耐用性的要求會隨著模塊尺寸的增加而提高，因此需要采用高度穩(wěn)定的壓力接觸技術。

技術特點：

一.  選進口德國進口瓦克區(qū)熔單晶作為產(chǎn)品的基底材料，材料具有極低的晶格缺陷以及電阻率分布的超高一致性

二. 芯片采用分壓環(huán)平面結構，VDRM以及VRRM穩(wěn)定性好，電壓最高可達2200V

三. 芯片選用SIPOS（半絕緣摻氧多晶硅）作為終端鈍化膜層，使用SIPOS的產(chǎn)品具有極低的高溫漏電，產(chǎn)品高溫穩(wěn)定性極佳

四. 芯片采用AL、V、Ni、AG四層金屬結構，形成高可靠歐姆接觸

五. 芯片主結構選用離子注入技術形成，具有極高的穩(wěn)定性及一致性。

六. 芯片主結構選用中心門極+放大環(huán)結構具有極高的電流上升率和電壓上升率

七. 芯片采用320um厚度，具有極低的正向壓降

八. DBC高效散熱絕緣基片

九. 鏈式燒結爐+氫氮氣保護燒結工藝

新一代功率模塊提供的封裝底板寬度為20mm, 25mm, 34mm。每種封裝均提供五種方便整流器設計(2種晶閘管/晶閘管TT、2種晶閘管/二極管TD和1種二極管/二極管DD)的模塊。我司提供的產(chǎn)品涵蓋主要電流額定值的每種尺寸，所有型號均提供1600V阻斷電壓。在此類模塊中，采用焊接技術的模塊是針對成本優(yōu)化的工業(yè)標準解決方案，而采用壓力接觸技術的模塊則是為滿足高電流應用和高可靠性的需求。

相比僅使用DCB基底向散熱器傳熱的模塊，這種帶絕緣銅底板的功率模塊具有更低的瞬態(tài)熱阻，從而在過載的情況下能夠具有更高的可靠性。該功率模塊經(jīng)過優(yōu)化的外殼和蓋子結構在擰緊主端子時只需極小的扭力，而且模塊具備一流的焊接質量。此外，這種模塊功耗最低，因而能夠實現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率。