富士康深耕半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的意圖已經(jīng)越來(lái)越明顯，在業(yè)界近期討論富士康擬在珠海建晶圓廠傳聞之時(shí)，富士康在濟(jì)南的高功率芯片工廠項(xiàng)目似乎已悄然開(kāi)工。

今年2月，濟(jì)南市政府發(fā)布該市2019年市級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目安排，“富士康功率芯片工廠建設(shè)項(xiàng)目”赫然在列。4月下旬，山東省公布一季度新開(kāi)工重大項(xiàng)目清單，其中包括“富士康功率芯片工廠項(xiàng)目”，顯示該項(xiàng)目已在一季度落地開(kāi)工，項(xiàng)目法人為濟(jì)南國(guó)資委旗下的濟(jì)南產(chǎn)業(yè)發(fā)展投資集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱“濟(jì)南產(chǎn)發(fā)集團(tuán)”）。

筆者搜索發(fā)現(xiàn)，中鐵十四局集團(tuán)旗下的全資子公司中鐵十四局集團(tuán)建筑工程有限公司官網(wǎng)發(fā)布新聞稿稱，3月15日富士康高功率芯片生產(chǎn)項(xiàng)目舉行樁基開(kāi)工儀式，開(kāi)工儀式由濟(jì)南產(chǎn)發(fā)集團(tuán)副總經(jīng)理張現(xiàn)成主持。

新聞稿中指出，該項(xiàng)目是濟(jì)南市引進(jìn)的富士康高科技產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目，主要為年產(chǎn)36萬(wàn)片8寸硅基功率器件和12萬(wàn)片6寸SiC功率器件的工業(yè)廠房。項(xiàng)目總占地630.6畝，一期占地318畝，一期總投資50億元，建筑面積24萬(wàn)平米。

據(jù)介紹，該建筑公司主要負(fù)責(zé)項(xiàng)目的基礎(chǔ)工程、主體工程、裝飾裝修、場(chǎng)區(qū)市政以及安裝工程等，目前項(xiàng)目進(jìn)場(chǎng)道路已經(jīng)打通，正在進(jìn)行灰土和面層混凝土施工；降水工程基本完成，強(qiáng)夯工程正在施工；臨建板房、場(chǎng)區(qū)圍擋正在搭設(shè)；cub動(dòng)力廠房樁基正式開(kāi)始施工。

此外，3月15日濟(jì)南高新區(qū)管委會(huì)亦發(fā)布新聞稿稱，濟(jì)南臨空經(jīng)濟(jì)區(qū)組織舉行富能高功率芯片生產(chǎn)項(xiàng)目樁基開(kāi)工儀式。文中消息顯示，該項(xiàng)目將建設(shè)8寸晶圓廠功率半導(dǎo)體器件（主要生產(chǎn)MOSFET、CoolMos、IGBT器件）和6寸晶圓廠碳化硅器件的研發(fā)、生產(chǎn)基地，項(xiàng)目一期用地317.92畝，建筑面積約24.5萬(wàn)平方米，投資50.53億元。

對(duì)比信息來(lái)看，不難發(fā)現(xiàn)中鐵十四局集團(tuán)建筑工程有限公司官網(wǎng)新聞稿中的“富士康高功率芯片生產(chǎn)項(xiàng)目”與濟(jì)南高新區(qū)管委會(huì)新聞稿中的“富能高功率芯片生產(chǎn)項(xiàng)目”應(yīng)是同一個(gè)項(xiàng)目。

濟(jì)南產(chǎn)發(fā)集團(tuán)相關(guān)負(fù)責(zé)人曾向媒體介紹，2018年9月儒商大會(huì)中簽約的高功率芯片項(xiàng)目規(guī)劃占地面積630畝，規(guī)劃年產(chǎn)36萬(wàn)片8寸硅基功率器件和12萬(wàn)片6寸SiC功率器件，該項(xiàng)目輕資產(chǎn)公司濟(jì)南富能半導(dǎo)體有限公司已于2018年11月注冊(cè)成立。

工商資料顯示，濟(jì)南富能半導(dǎo)體公司法定代表人為陳昱升，陳昱升與濟(jì)南富杰產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）各占股40%、60%，而后者則為富士康與濟(jì)南產(chǎn)發(fā)集團(tuán)合作籌建。

2018年9月儒商大會(huì)上，富士康與濟(jì)南市簽約共同籌建濟(jì)南富杰產(chǎn)業(yè)基金項(xiàng)目，該產(chǎn)業(yè)基金規(guī)模37.5億元，根據(jù)簽約內(nèi)容，富士康先期將促成1家高功率芯片公司和5家集成電路設(shè)計(jì)公司落地濟(jì)南。

綜合信息顯示，富能半導(dǎo)體有限公司或就是富士康與濟(jì)南約定促成落地的高功率芯片公司。根據(jù)濟(jì)南高新區(qū)管委會(huì)消息，該項(xiàng)目開(kāi)工之后，將于10月底完成部分主體施工，明年一季度全部建成使用。